[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统在审
| 申请号： | 202210130623.5 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN114709138A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;胡浩东 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学杭州研究院 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L29/872;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈志明 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统，具体包括：对待处理的氧化镓材料进行氧气退火处理，在所述氧化镓材料的正面形成热氧化区；通过预设的处理流程，在所述氧化镓材料的背面或者所述热氧化区的表面形成欧姆电极，然后在所述热氧化区的表面形成肖特基电极图形，并根据所述肖特基电极图形，在所述热氧化区上形成所述肖特基电极图形对应的肖特基电极，完成氧化镓肖特基二极管的制备。通过氧气退火处理，在待处理的氧化镓材料的正面形成热氧化区域，降低氧化镓材料的表面处氧空位密度，进而改善氧化镓肖特基二极管的反向漏电，提升氧化镓肖特基二极管器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镓肖特基 二极管 及其 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学杭州研究院，未经西安电子科技大学杭州研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210130623.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
