[发明专利]一种碳化硅晶体的制造方法及装置在审
| 申请号： | 202210100984.5 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114481316A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王士强 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体的制造方法及装置，其属于晶体生长技术领域，碳化硅晶体的制造方法包括采用溶液生长法在碳化硅籽晶的硅面偏轴生长碳化硅晶体，得到预制晶体，所述偏轴生长是指所述碳化硅籽晶的生长面与形成的所述碳化硅晶体的{0001}面具有夹角；对所述预制晶体进行切割，并得到优质籽晶；采用溶液生长法在所述优质籽晶的碳面生长碳化硅晶体，得到最终碳化硅晶体。本发明提供的碳化硅晶体的制造方法及装置制造得到的碳化硅晶体存在较少的微管，且能够大幅减少螺型位错和刃型位错，还能够减少基面位错，进而能够保证碳化硅器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
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