[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210087941.8 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN115224020A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 杨吴德 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件和该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一基底，该第一基底包括一中心区域和远离该中心区域的一边缘区域；设置在该第一基底上的一第一电路层；设置在该第一电路层中和该中心区域上方的一中心电源垫；设置在该第一电路层中和该边缘区域上方，并与该中心电源垫电性耦合的一边缘电源垫；设置在该第一电路层上方并与该中心电源垫电性耦合的一重布电源图案；以及设置在该边缘电源垫和该重布电源图案之间，并将该边缘电源垫和该重布电源图案电连接的一边缘电源通孔。该第一基底、该中心电源垫、该边缘电源垫、该重布电源图案和该边缘电源通孔共同构成一第一半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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