[发明专利]逆导型IGBT在审
| 申请号： | 202210087607.2 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114464676A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT，在横向上IGBT的形成区域和FRD的形成区域互相邻接且隔离。在IGBT和FRD的形成区域中形成有漂移区和场截止层；在IGBT的形成区域中，在场截止层的背面形成有集电区。在FRD的形成区域中，在场截止层的背面形成有第一电极区。FRD的形成区域中形成有穿过漂移区的深沟槽。在深沟槽及漂移区表面形成有掺杂类型相反的第一和第二外延层，深沟槽中还填充有第三绝缘介质层。在漂移区上的第一和第二外延层表面形成有第二导电类型掺杂的阱区。本发明能实现IGBT和FRD的很好隔离，能抑制IGBT回扫，能同时实现对FRD的性能进行局域地优化，能改善FRD的注入效率和能控制FRD的少子寿命，还能优化终端区结构以及节省面积。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海擎茂微电子科技有限公司，未经上海擎茂微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210087607.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
