[发明专利]一种碲化铯光电阴极制造加工方法在审
| 申请号： | 202210078121.2 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114438447A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李相鑫;豆西博 | 申请（专利权）人： | 东莞市中科原子精密制造科技有限公司;广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/54;H01L31/0224;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 赵昕 |
| 地址： | 523003 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种碲化铯光电阴极制造加工方法，设计光电器件制造技术领域。所述碲化铯光电阴极制造加工方法包括：镀导电基底；在真空环境中使用磁控溅镀方式在所述导电基底上生长指定厚度的碲膜，得到第一阴极；将所述第一阴极置于设有铯化合物的真空环境中，采用预设光源照射所述第一阴极，通过电流加热方式蒸发铯，并监测所述第一阴极产生的光电流变化；当监测到所述第一阴极的产生的光电流达到最大值时，停止蒸发铯，得到碲化铯光电阴极。本发明提供的方法能够减少和缩短了碲化铯光电阴极生长的升温和降温过程，薄膜生长具有重复性好，控制水平高的特点，能够自动化、批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铯 光电 阴极 制造 加工 方法 | ||
【主权项】：
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