[发明专利]一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210076426.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114122218A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;吴小明;莫春兰;郑畅达;蒋恺;王立 | 申请（专利权）人： | 南昌硅基半导体科技有限公司;南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙) 36125 | 代理人： | 许明亮 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 全方位 反射 电极 gan led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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