[发明专利]p型GaN欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 202210061899.2 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114420559A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;王新维;张宁;魏学成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/45;H01L31/0224;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种p型GaN欧姆接触的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、重掺杂Mg的p型GaN层后，经过一次退火处理得到第一样品；将第一样品进行激光退火处理后，进行清洗，得到第二样品；对第二样品的表面首先进行光刻形成金属图形，接着依次蒸镀第一金属层、第二金属层，然后剥离多余的第一金属层和第二金属层，得到第三样品；将第三样品进行二次退火处理，形成欧姆接触。其中，激光退火处理使得p型GaN层表面的Mg杂质形成一定的聚集，同时通过打破Mg‑H键，降低H原子浓度，增大空穴浓度，从而降低了p型GaN的接触电阻率，改善了p型GaN与金属的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | gan 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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