[发明专利]一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202210051646.7 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114551594A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;刘春杨;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;C30B25/02;C30B29/40;C30B29/68;H01L21/335;H01L29/15;H01L29/207 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlN/AlGaN超晶格层、AlGaN块状层、AlN/GaN超晶格层以及GaN块状层，所述AlN/AlGaN超晶格层设置在靠近所述AlN成核层一侧；其中，所述AlN/AlGaN超晶格层中的AlGaN子层和所述AlN/GaN超晶格层中的GaN子层均掺杂有低浓度的Fe，且所述GaN子层的掺杂浓度高于所述AlGaN子层的掺杂浓度。与现有技术相比，本发明提出的外延片既能实现高阻又具有很高的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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