[发明专利]一种日盲光探测器以及成像装置有效
| 申请号: | 202210037978.X | 申请日: | 2022-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN114361269B | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
| 发明(设计)人: | 蒋彤;孔玮;李军帅 | 申请(专利权)人: | 西湖大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/108 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 范继晨 |
| 地址: | 310024 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本公开实施例提出了一种日盲光探测器以及成像装置,所述日盲光探测器包括衬底,在所述衬底上从上到下分别设置第一电极和第二电极,在所述第一电极和所述第二电极之间设置β‑Ga2O3薄膜,所述第一电极与所述β‑Ga2O3薄膜之间形成第一接触,所述第二电极与所述β‑Ga2O3薄膜之间形成第二接触,所述第一接触和所述第二接触位于所述衬底的垂直方向上。本公开实施例通过使用超薄β‑Ga2O3薄膜使得日盲光探测器同时具备超快响应速度和高响应度,利用透明电极使得其在有效收集光电流的同时具有对紫外光的高透明度,进一步地,针对将两个不同的接触设置为垂直结构适合与硅基读出电路集成从而制成探测阵列,为实现日盲光的高分辨成像提供条件。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 日盲光 探测器 以及 成像 装置 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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