[发明专利]一种晶圆级FBAR产品的封装结构及方法有效
| 申请号： | 202210036100.4 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114389558B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吉萍;金科;吕军 | 申请（专利权）人： | 苏州科阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/10 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 张明明 |
| 地址： | 215143 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级FBAR产品的封装结构及方法，属于芯片设计技术领域，产品晶圆表面主要有薄膜腔体内填充牺牲层101，第一电极102，压电层103，第二电极104，晶圆衬底105，薄膜区域预留蚀刻孔106，在晶圆表面图形化露出后续焊接凸点110位置：在晶圆表面覆盖一层光阻107材料，只露出第一电极102、第二电极104，完成非电极区域的保护，其次进行产品电极加厚的加工，为达到需求的目标厚度，需要将原始晶圆减薄，该步骤通过机械研磨的方式，或者通过气体干法刻蚀的方式完成；接着薄膜区域牺牲层释放、焊接凸点的制作，最后进行激光切割；本发明封装过程中释放薄膜空腔，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 fbar 产品 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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