[发明专利]一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。将该红外探测器中II类超晶格层制成具有特定周期及占空比的光栅结构，并在其上蒸镀金属膜层，构建金属微结构，利用该结构异常的增透特性，使最终制备的红外探测器在5.5μm左后和10μm左右为中心波长的中波和长波波段实现了对入射光的选择性增强吸收，可以用于特定需求的红外成像探测器，提升了器件的性能。另外，红外探测器中构建该结构后，不仅可以减少本征吸收层的厚度，显著降低探测器的暗电流，提高了红外探测器的灵敏度，还可以避免因制备较厚本征吸收层导致的制作周期长、成本高的缺陷。