[发明专利]用于金属栅极堆叠中的金属填充的方法及设备在审
| 申请号： | 202180077479.7 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116490958A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 斯里尼瓦斯·甘迪科塔;杨逸雄;杰奎琳·S·阮奇;李路平;杨勇;赛沙德利·甘古利 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种填充半导体结构中的特征的方法包括通过原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)中的一者在该特征中形成阻挡层；其中该阻挡层为钴(Co)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)加Mo、钛(Ti)、钛铝碳化物(TiAlC)或氮化钛(TiN)中的一者；及通过ALD或CVD中的一者在特征中及在阻挡层之上形成金属层；其中该金属层为铝(Al)、Co、Mo、钌(Ru)或钨(W)中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 堆叠 中的 填充 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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