[发明专利]磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片在审
| 申请号： | 202180054263.9 | 申请日： | 2021-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN116057212A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 山岸航大;冈俊介;铃木健二 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片，所述磷化铟基板能抑制因边缘部的残留物引起的磷化铟基板表面的污染的产生。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部的整个表面，利用激光显微镜测定出的均方根高度Sq为0.15μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基板 制造 方法 以及 半导体 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
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