[发明专利]SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆在审
| 申请号： | 202180054023.9 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116057666A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 横川功 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种SOI晶圆的制造方法，包含：通过热氧化在包含掺杂剂的基底晶圆的整面形成硅氧化膜的工序；以及使结合晶圆的主面与基底晶圆的第一主面经由硅氧化膜贴合的工序，在热氧化工序之前，还包含：在基底晶圆的第二主面上形成CVD绝缘膜的工序；以及在基底晶圆的第一主面上形成以低于基底晶圆的掺杂剂浓度的浓度含有掺杂剂的阻挡硅层的工序，在热氧化工序中，将阻挡硅层热氧化而获得阻挡硅氧化膜，在贴合工序中，使结合晶圆与基底晶圆经由硅氧化膜的一部分即阻挡硅氧化膜贴合。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，能够一边抑制因基底晶圆的掺杂剂的混入所导致的SOI层的污染，一边制造SOI晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 晶圆 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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