[发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板在审
| 申请号： | 202180051548.7 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN116209795A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曲伟峰;井川静男;砂川健 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序；及去除所述氧化膜的工序。由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
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