[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202180050391.6 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115956297B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 太田朋成;田口晶英;中山佑介;中村浩尚 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置有第1源极区域(14)、和第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)的第1纵型场效应晶体管(10)中，设第1方向上的第1源极区域(14)的长度为LS[μm]，设第1方向上的第1连接部(18A)的长度为LB[μm]，则LS相对于LB的比是1/7以上且1/3以下，对于以第1源极电极(11)的电位为基准向第1栅极导体(15)施加的半导体装置(1)的规格值的电压VGS[V]，LB≤－0.024×(VGS) |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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