[发明专利]在化学机械抛光期间检测不合格衬底处理事件的方法在审
| 申请号： | 202180047838.4 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN115943016A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吴正勋;布尚·阿施施;杰米·斯图尔特·莱顿;约翰·安东尼·加西亚;史蒂芬·托马斯·科米耶;尼克·约瑟夫·杰克逊;马诺伊·巴拉库马尔;南德基绍尔·帕特达尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B24B37/015 | 分类号： | B24B37/015 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式一般涉及在电子装置的制造中使用的化学机械抛光系统(CMP)系统和处理。尤其是，本文的实施方式涉及在抛光处理期间检测不合格衬底处理事件的方法。在一个实施方式中，一种处理抛光系统上的衬底的方法包括以下步骤：在存在抛光流体的情况下促使碳化硅衬底的表面抵靠抛光垫，使用位于工作台上方的温度传感器来确定抛光垫的温度，监测抛光垫的温度，并且如果抛光垫温度的改变达到阈值，则使用抛光系统的控制器来启动响应。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 期间 检测 不合格 衬底 处理 事件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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