[发明专利]基于零陷形成过程信息在一个或多个波束上的选择性零陷形成在审
| 申请号： | 202180039747.6 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN115836485A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | N.阿贝迪尼;Q.张;K.古拉蒂;A.帕蒂卡;周彦;J.李;骆涛 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B7/06 | 分类号： | H04B7/06;H04B7/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 安之斐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个方面，网络设备(例如，BS、核心网络组件等)确定与无线设备(例如，UE或BS)处的零陷形成相关联的自干扰测量(SIM)配置，所述零陷形成与引导无线设备的至少一个接收波束和/或无线设备的至少一个发送波束远离一个或多个外部自干扰源相关联。网络设备向无线设备发送SIM配置。无线设备根据SIM配置执行至少一个零陷形成过程。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 形成 过程 信息 一个 波束 选择性 | ||
【主权项】：
暂无信息
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