[发明专利]Pt-氧化物系溅射靶和垂直磁记录介质在审
| 申请号： | 202180034320.7 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN115552052A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 金光谭;镰田知成;栉引了辅 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;G11B5/64;G11B5/738;G11B5/851;H01F10/16;H01F41/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 满凤;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供磁晶各向异性常数Ku和矫顽力Hc高的磁记录介质以及用于制造该磁记录介质的溅射靶。一种Pt‑氧化物系溅射靶，其是由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成的Pt‑氧化物系溅射靶，其特征在于，Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt。 | ||
| 搜索关键词： | pt 氧化物 溅射 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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