[发明专利]用于制造用于射频装置并且能够用于转移压电层的压电结构的方法以及用于转移这种压电层的方法在审
| 申请号： | 202180032506.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115516653A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | A·卡斯特;L·杜特尔-罗塞尔;E·比托;B·塔维尔 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312;H01L41/313;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;李琳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造压电结构(10，10')的方法，所述方法的特征在于其包括提供压电材料的衬底(20)、提供载体衬底(100)、在低于或等于300℃的温度下将介电结合层(1001)沉积在压电材料的衬底(20)的单侧上，通过介电结合层(1001)将压电材料的衬底(20)接合至载体衬底(100)的步骤(1')，用于形成包括接合至载体衬底(100)的压电材料层(200)的压电结构(10，10')的减薄步骤(2')。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 射频 装置 并且 能够 转移 压电 结构 方法 以及 这种 | ||
【主权项】：
暂无信息
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