[发明专利]具有自发发射阻塞的增强半导体激光器在审
| 申请号： | 202180021003.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN115336126A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | J·福罗吉尔;程慷果;谢瑞龙;C·帕克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S3/09 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于生产包括与半导体激光器串联集成的双稳态电阻系统(BRS)的增强激光器(ATLAS)的器件和方法。通过利用BRS的突变电阻开关，激光器表现出低于激光阈值的自发发射(SE)的减少/抑制。激光器系统包括半导体激光器以及作为可逆开关操作的BRS。BRS在高阻态下操作，其中半导体激光器低于激光阈值并且以减少的自发发射机制发射，以及在低阻态下操作，其中半导体激光器高于或等于激光阈值并且以受激发射机制发射。作为可逆开关操作的BRS跨两个独立芯片或在单个晶片上串联电连接。BRS是使用绝缘体‑金属转变(IMT)材料形成的或者是使用阈值开关选择器(TSS)形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自发 发射 阻塞 增强 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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