[发明专利]使用磁性元件的蚀刻和等离子体均匀性控制在审
| 申请号： | 202180012192.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115039198A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·布里格斯;普拉蒂克·曼克迪;约翰·P·霍兰德;安德鲁·D·贝利三世 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了用于使用磁场控制蚀刻速率和等离子体均匀性的方法、系统、设备和计算机程序。一种半导体衬底处理设备包括真空室，该真空室包括用于使用电容耦合等离子体(CCP)处理衬底的处理区。该设备进一步包括磁场传感器，其被配置为检测表示与真空室相关联的残余磁场的信号。至少一个磁场源被配置为生成通过真空室的处理区的一个或多个补充磁场。磁场控制器被耦合到磁场传感器和至少一个磁场源。磁场控制器被配置为调整一个或多个补充磁场的至少一个特性，从而使一个或多个补充磁场将残余磁场减小到预定值。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 磁性 元件 蚀刻 等离子体 均匀 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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