[发明专利]用于制造图像传感器的方法在审
| 申请号： | 202180009224.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115039226A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | W·施瓦岑巴赫;D·埃里松;A·德尔皮 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;何晓同 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造图像传感器的方法，其包括：‑提供受体衬底(1)，其包括基底(10)和包括像素(11)的有源层，每个像素包括用于收集像素中产生的电荷的掺杂区域(12)，所述受体衬底(1)没有金属互连；‑提供供体衬底(2)，其包括界定单晶半导体层(201)的弱化区域(200)；‑将供体衬底(2)键合到受体衬底(1)；‑沿着弱化区域(200)分离供体衬底(2)，以将半导体层(201)转移到受体衬底(1)；‑在转移的半导体层(201)上实施精加工处理，所述精加工处理包括(i)通过牺牲氧化然后进行化学蚀刻使转移的层变薄，以及(ii)通过至少一次快速退火来平整转移的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
