[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180003758.9 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN114303248B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孟流畅;陈泓宇;樊开明 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、两个或更多个源极/漏极(S/D)电极、栅极电极、掺杂的III‑V族半导体层、栅极保护层和第一钝化层。掺杂的III‑V族半导体层设置在第二氮基半导体层和栅极电极之间。栅极保护层覆盖栅极电极和掺杂的III‑V族半导体层，并且与S/D电极分离。第一钝化层覆盖第二氮基半导体层和栅极保护层，并且紧靠S/D电极的侧壁，其中S/D电极的侧壁通过第一钝化层与栅极保护层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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