[发明专利]一种存储器CMOS电路在审
| 申请号： | 202180003129.6 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114270443A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵利川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张雪;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种存储器CMOS电路，所述存储器CMOS电路包括：高压功能电路，包括至少一个MOS管，其中一所述MOS管的源极端或漏极端接入输入高压；用于实现在使能信号有效时，其输出电压逐渐增大并达到最大值；辅助钳位电路，设于所述输入高压和所述MOS管的源极端或漏极端之间，用于在所述输出电压上升阶段，对输入所述MOS管源极端或漏极端的电压进行钳位，以使钳位电压小于所述输入高压。通过本申请提供的存储器CMOS电路，解决了现有存储器CMOS电路中的高压功能电路存在可靠性风险的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 cmos 电路 | ||
【主权项】：
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