[发明专利]III族氮基半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202180000921.6 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113169150B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 邱尚青;张雷;曹凯;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种III族氮基半导体封装结构，包括引线架、黏着层、III族氮基晶粒、封装材料和至少一接合线。引线架包括管芯座和引线。管芯座具有设置在管芯座的顶面中的第一和第二凹槽。第一凹槽位于顶面的相对中心区域附近。第二凹槽位于顶面的相对外围区域附近。从俯视观之，第一凹槽具有与第二凹槽不同的形状。黏着层设置在管芯座上以填充到第一凹槽中。III族氮基晶粒设置在黏着层上。封装材料封装引线架和III族氮基晶粒。第二凹槽填充有封装材料。接合线被封装材料封装。 | ||
| 搜索关键词： | iii 族氮基 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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