[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180000619.0 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113454790B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李浩;黃敬源;姚卫刚 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括漏极电极、第一源极电极、第二源极电极、第一栅极电极和第二栅极电极。第一源极电极设置在漏极电极的第一侧。第二源极电极设置在漏极电极的第二侧，与第一源极电极相对。第一栅极电极设置在第一源极电极和漏极电极之间。第一栅极电极沿第一方向延伸。第二栅极电极设置在第二源极电极和漏极电极之间。第二栅极电极沿第一方向延伸。在半导体器件俯视图中，第一栅极电极设置基本垂直于第一方向的第一假想线的上方。在半导体器件俯视图中，第二栅极电极设置在基本垂直于第一方向的第二假想线的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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