[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202180000613.3 | 申请日: | 2021-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN115413369A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 魏锋;周宏军;杜丽丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云;刘晓冰 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括衬底基板(101),具有显示区(AA)、封装区(F)以及电极开孔区(H),显示区(AA)包括设置在衬底基板(101)上的像素驱动电路层(D)、第一平坦化层(1016)、第一电极层(EM1)、像素界定层(102)、隔垫物层(103)、发光层(EM2)和第二电极层(EM3);电极开孔区(H)包括设置在衬底基板(101)上的第二平坦化层(203)、第三电极层(201)以及间隔绝缘层(202),第三电极层(201)包括相互分离的多个电极开孔(2011),间隔绝缘层(202)包括相互分离的多个绝缘图形(2021),任一绝缘图形(2021)填充对应的一个电极开孔(2011),且任一绝缘图形(2021)在衬底基板(101)的正投影覆盖对应电极开孔(2011)在衬底基板(101)的正投影;间隔绝缘层(202)远离衬底基板(101)的一侧与衬底基板(101)的最大距离为第一距离(L1),隔垫物层(103)远离衬底基板(101)的一侧与衬底基板(101)的最大距离为第二距离(L2),第一距离(L1)与第二距离(L2)的比值为0.9‑1.1。 | ||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





