[实用新型]一种低压信号驱动高压MOS的电路有效
| 申请号： | 202123409091.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN216851933U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈俊标;陈钊 | 申请（专利权）人： | 宜兴杰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K7/08 |
| 代理公司： | 无锡市天宇知识产权代理事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 郝静 |
| 地址： | 214200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压信号驱动高压MOS的电路，该电路包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。其通过可调电阻对PWM电压基准设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 信号 驱动 高压 mos 电路 | ||
【主权项】：
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