[实用新型]一种基于氧化镓的半导体装置有效
| 申请号： | 202122902832.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN216528896U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 广州华瑞升阳投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/41;H01L29/417;H01L23/373;H01L29/872;H01L29/861;H01L29/78;H01L29/739;H01L33/26;H01L33/42;H01L33/40;H01L21/44;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510670 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种基于氧化镓的半导体装置，本实用新型通过对硅衬底进行图形化处理，在硅衬底上表面加工隔离带，将硅衬底层上表面分离出多个互不相连的六边形生长平台，然后在六边形生长平台上生长GaN薄膜层，再在GaN薄膜层上生长α‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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