[实用新型]相变存储单元的测试结构有效
| 申请号： | 202122605648.X | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN216212353U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘国强;杨红心;张恒;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种相变存储单元的测试结构，包括金属布线层，所述金属布线层包括第一金属布线区、第二金属布线区及中间金属布线区，其中，第一金属布线区与相变存储单元连接，第二金属布线区通过金属接触通孔引出，且中间金属布线区中具有金属绕线结构，且金属绕线结构分别与第一金属布线区和第二金属布线区连接。本实用新型提供的测试结构中，中间金属布线区具有金属绕线结构，相当于在第一金属布线区和第二金属布线区之间引入一电阻器，以限制瞬态冲击电流在一个较小的水平，避免相变电阻动态阻值的变化导致回路冲击瞬态电流过大，保护相变存储单元，提高测试的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 测试 结构 | ||
【主权项】：
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