[实用新型]三栅极MOS晶体管以及电子电路有效
| 申请号： | 202122381093.5 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN216871979U | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | A·马扎基;R·盖伊 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及三栅极MOS晶体管以及电子电路。一种三栅极MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；沟槽，在半导体衬底中位于有源区的区域的两侧上；电隔离层，在沟槽中的每个沟槽的内表面上；填充沟槽直到有源区的上表面的半传导或导电材料，以便形成在沟道的相对侧上的相应竖直栅极；另一电隔离层，在沟道处位于有源区的上表面上；以及在另一电隔离层上的半传导或导电材料，以便形成水平栅极。利用本公开的实施例，有利地改善MOS晶体管的性能而不增加表面印记或制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 mos 晶体管 以及 电子电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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