[实用新型]一种碳化硅mosfet散热结构有效
| 申请号： | 202122209423.2 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN215988732U | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张建;张前;苏显;张敏 | 申请（专利权）人： | 天津市云驱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京华专卓海知识产权代理事务所(普通合伙) 11664 | 代理人： | 高成树 |
| 地址： | 300308 天津市滨海新区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅mosfet散热结构，包括：主体、固定槽、卡块；所述固定槽位于主体外侧的下方，且固定槽与主体为一体式结构；所述卡块呈前后对称排列的方式分别位于固定槽的前后两侧，且卡块与固定槽为一体式结构；所述固定架的上方设置在固定槽的内部，且固定架与固定槽通过卡块相连接；所述底板设置在固定架的下侧，且底板与固定架通过焊接方式相连接；所述散热槽位于底板的下侧，且散热槽与底板为一体式结构；所述安装槽位于底板上侧的中间，且安装槽与底板为一体式结构。通过在结构上的改进，具有有效散热和固定牢固的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 散热 结构 | ||
【主权项】：
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