[实用新型]一种热场结构有效
| 申请号： | 202121948159.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN215517737U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张俊;陶飞 | 申请（专利权）人： | 扬州合晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/18 | 分类号： | C30B15/18 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 潘云峰 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体热场技术领域，尤其涉及一种热场结构。其包括：坩埚、保温内筒及保温外筒；保温内筒设置在坩埚外部；保温外筒匹配设置在保温内筒外部，保温外筒包括：由上至下依次错位设置的上保温盖、上保温外筒及中保温外筒；保温内筒顶端与上保温外筒和中保温外筒形成拐角相配。本实用新型用于解决成晶异常及杂质含量高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【主权项】：
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