[实用新型]一种半导体MOS场效应管有效
| 申请号： | 202121664099.7 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN214898397U | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 覃德益 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/367;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市汉瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 44766 | 代理人： | 李航 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体MOS场效应管，包括壳座，所述壳座中放置有MOS场效应管本体，所述壳座的顶面盖合有盖板，所述壳座的顶面两侧均开设有延伸至其边缘处的槽口，所述盖板的底面连接有支杆，所述支杆上螺纹贯穿有用于固定在槽口内侧面上的固定栓，所述盖板的底面还设置有用于抵触在MOS场效应管本体上的抵触块，从而在较少的结构下依然能够保证整体的规整性，降低制造成本，且整体的可拆性以及封闭性较好，使其方便方便进行拆分维护操作，同时也能够保证提整体散热特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 mos 场效应 | ||
【主权项】：
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