[实用新型]一种硅片边缘检测机构及检测装置有效
| 申请号： | 202121573386.7 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN215496642U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘世挺;李文;谭晓靖;葛建良;徐飞;洪瑞;李昶;韩杰 | 申请（专利权）人： | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人： | 孙际德;章陆一 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅片边缘检测机构及检测装置，其中的硅片边缘检测机构至少包括端面光源、端面反射机构及检测相机，其中：端面光源、端面反射机构均位于检测工位与检测相机之间；端面反射机构包括至少一个平面反射镜，至少一个平面反射镜被配置为对端面光源发射的端面照射光线进行至少一次反射，以使得端面照射光线经被测边缘的端面反射后被检测相机探测到。本实用新型提供的硅片边缘检测机构采用平面反射镜作为反射器件使得端面照射光线经被测边缘的端面反射至检测相机，其降低了光损耗，提升了检测机构的成像效果、检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 检测 机构 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
