[实用新型]终端有源区同设计的SiC功率器件有效
| 申请号： | 202121414468.7 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN214797428U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈欣璐;黄兴;张梓豪;隋金池;汪剑华;杨朝阳 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种终端有源区同设计的SiC功率器件，涉及SiC功率器件领域，所述终端有源区同设计SiC功率器件中，形成所述元胞结构沟道的沟道注入区和终端区用于形成结终端的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成。通过在终端区和有源区采用相同的离子注入结构，解决了因图形区域密度不同导致的刻蚀侧墙角度不同而造成相应沟道离子注入时沟道尺寸不可控的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 有源 设计 sic 功率 器件 | ||
【主权项】：
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