[实用新型]一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器有效

专利信息
申请号: 202121291474.8 申请日: 2021-06-09
公开(公告)号: CN215641767U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 薛松生;沈卫锋;郭海平;宋晨 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 215634 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型实施例公开了一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器,该磁电阻薄膜结构包括:依次层叠设置的基底、种子层、参考层、间隔层、自由层和电极层;参考层在种子层上生长,且参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入被钉扎;自由层的磁矩方向随外部磁场的变化而变化。本实用新型实施例中,参考层生长在种子层上,电流通入种子层后会使种子层产生自旋流且该自旋流可注入相邻参考层,使得参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入影响而改变并钉扎。无需外部设备辅助即可精确控制参考层的钉扎方向,能够更加便捷的实现参考层的多角度钉扎,设计工艺简单且成本低廉,更具竞争力和市场前景。
搜索关键词: 一种 磁电 薄膜 结构 传感器
【主权项】:
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