[实用新型]超结功率MOSFET有效
| 申请号： | 202120976676.X | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN215731731U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 雷秀芳;姜春亮;赵浩宇;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种超结功率MOSFET，在MOSFET的截面上，其包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一主表面和第二主表面；设于第一主表面上的漏极；设于第二主表面上的第一导电类型区，第一导电类型区包括n个第二导电类型区和n个沟槽，n为正整数，第二导电类型区沿水平方向间隔设置，第二导电类型区之间的第一导电类型区与第二导电类型区形成超结结构，沟槽对应设于第二导电类型区上，沟槽底部与第二导电类型区相接触；沿沟槽及沟槽之间的平面设有栅极氧化层，平面与沟槽开口处于同一水平面上，沟槽内填充有沟槽栅极，平面上的栅极氧化层上设有平面栅极；沟槽栅极上设有源极。该MOSFET具有超低电容，更优化的FOM。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市威兆半导体有限公司，未经深圳市威兆半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120976676.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高精度温控摊片机
- 下一篇：商标固定板、顶出风室外机及空调
- 同类专利
- 专利分类
