[实用新型]高性能的压电MEMS超声波传感器有效
| 申请号： | 202120919217.8 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN214471312U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张龙;赵潇;夏登明;胡国俊 | 申请（专利权）人： | 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08;B81B7/00 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高性能的压电MEMS超声波传感器，涉及传感器技术领域，该超声波传感器包括从底至顶依次层叠的硅基层、硅振动膜和压电结构，硅基层内部形成有硅基腔体，压电结构中的PZT压电薄膜层位于所述硅基腔体处且所述PZT压电薄膜的尺寸与所述硅基腔体的尺寸相匹配，压电结构覆盖所述硅振动膜表面的薄膜区域、上电极区域和下电极区域，硅振动膜表面在所述压电结构以外的区域外露；该超声波传感器尺寸较小，且可以有效降低压电结构的残余应力的影响，提高传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 压电 mems 超声波传感器 | ||
【主权项】：
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