[实用新型]一种生长碳化硅单晶的坩埚结构有效
| 申请号： | 202120915874.5 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN214830783U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;姚秋鹏;钟红生;王亚哲;罗昊;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种生长碳化硅单晶的坩埚结构，包括加热坩埚与生长坩埚，生长坩埚底部均匀设置加热石墨棒，由于是中频感应加热，磁场从外到内有衰减现象，将加热坩埚对应壁厚减少，并在碳化硅粉源中间加入加热用石墨棒，中频感应加热磁场能够有效的透过加热坩埚，使的加热石墨棒在碳化硅粉源中起到加热的作用，通过石墨棒在粉料中的加热，使得整个生长室内的气氛均匀，并在一定程度上能够加快PVT法气相传输的速率，提高碳化硅晶体生长速度。同时也提高在生长过程中气体径向与轴向运输速度，提高了SiC粉料的利用率，增加原料利用率，降低了原料成本,为企业带来效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碳化硅 坩埚 结构 | ||
【主权项】：
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