[实用新型]竖直存储器装置有效
| 申请号： | 202120714645.7 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN214542223U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 申载勋;金江旻;朴庆晋;宋承砇;申重植;林根元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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