[实用新型]光生伏特结构及应用光生伏特结构的装置有效
| 申请号: | 202120696955.0 | 申请日: | 2021-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN213184307U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 张伟 | 申请(专利权)人: | 中铁第五勘察设计院集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/054;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 杨中鹤 |
| 地址: | 102600 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本公开涉及工程材料技术领域,尤其涉及一种光生伏特结构及应用光生伏特结构的装置。该光生伏特结构包括依次层叠设置的正电极板、P型半导体、N型半导体、防反射层和负电极栅线;其中,P型半导体背向正电极板的一侧表面形成有凸起的第一锥体,N型半导体背向P型半导体的一侧表面形成有凸起的第二锥体。本公开提供的光生伏特结构,通过在P型半导体背向正电极板的一侧表面形成凸起的第一锥体,在N型半导体背向P型半导体的一侧表面形成凸起的第二锥体,锥体结构可有效汇集来自各个方向的太阳辐射,提高太阳辐射光子大角度撞击半导体接触面的概率,促进光电能量传导,从而提高光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词: | 伏特 结构 用光 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





