[实用新型]一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路有效
| 申请号： | 202120649543.1 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN214707539U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邹扬;赵隆冬;朱晓辉;袁宝山;徐成宝;高东辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了DC‑DC变换电路领域的一种基于GaN‑SiC器件的高频移相全桥软开关DC‑DC变换电路，包括次级带中间抽头的功率变压器，功率变压器的初级侧连接有移相全桥软开关电路，次级侧连接有同步整流电路；所述移相全桥软开关电路采用GaN晶体管作为开关管，采用SiC二极管作为箝位二极管。本实用新型将基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路与同步整流进行结合，采用输入电流峰值反馈控制和GaN晶体管专用驱动电路以及辅助电源设计，实现了高频高效大功率半砖DC‑DC变换器。基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路，提高了DC‑DC变换器开关频率和功率密度，实现了高效率和小型化的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan sic 器件 高频 移相全桥软 开关 dc 变换 电路 | ||
【主权项】：
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