[实用新型]一种内置抗干扰结构的碳化硅二极管有效
| 申请号： | 202120590410.1 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN215069935U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 骆宗友 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/58;H01L29/861 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型系提供一种内置抗干扰结构的碳化硅二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有介电陶瓷板和碳化硅芯片，介电陶瓷板的两侧设有第一导电片和第二导电片，介电陶瓷板中设有芯片让位孔，碳化硅芯片限位于芯片让位孔中；碳化硅芯片包括N型SiC衬底、阴极金属层、N型SiC外延层、势垒金属层和阳极金属层，第一导电片与阴极金属层之间通过第一焊接层连接，第二导电片与阳极金属层之间通过第二焊接层连接；介电陶瓷板的两侧固定有第一电极层和第二电极层，第一焊接层还与第一电极层连接，第二焊接层还与第二电极层连接。本实用新型能够有效避免内部形成干扰信号，抗干扰性能好；电容器件结构简洁稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 抗干扰 结构 碳化硅 二极管 | ||
【主权项】：
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