[实用新型]一种可连续生长碳化硅晶体改善长晶质量的石墨坩埚装置有效
| 申请号： | 202120516778.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN214361832U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 桑林艳 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种可连续生长碳化硅晶体改善长晶质量的石墨坩埚装置，属于坩埚技术领域，是针对现有晶体质量在制备过程中受源粉数量的影响所提出，其包括：坩埚主体，在坩埚主体内底设有用来放置原料的原料区，还包括用来存放备用原料的储备原料箱和用来补给原料的补料机构，所述储备原料箱设置在坩埚主体的底部，补料机构穿设在原料区与储备原料箱内，通过转动补料机构可将储备原料箱内的备用原料输送至原料区内，并实现补料机构对原料的搅拌作用。本实用新型通过设置储备原料箱为晶体生长提供充足的原料，减少因为原料不足对晶体质量产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生长 碳化硅 晶体 改善 质量 石墨 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
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