[实用新型]一种铁电存储器的单元结构有效
| 申请号： | 202120514575.0 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN214203686U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄帅;李勇;佘彦超;王强;田昌海;陈琳 | 申请（专利权）人： | 铜仁学院 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 覃毅 |
| 地址： | 554300 贵州省铜仁市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种铁电存储器的单元结构，包括衬底、两个n+区、源极、漏极、第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层、铁电薄膜和栅极；衬底之上沉积有第一氧化层，在第一氧化层上刻蚀有第一矩形窗口以及第二矩形窗口，在第一矩形窗口以及第二矩形窗口处形成有两个n+区、源极和漏极，在第一氧化层、源极和漏极之上沉积有第二氧化层，在第二氧化层中设置有第三矩形窗口，铁电薄膜沉积在第三矩形窗口内，在第二氧化层以及铁电薄膜之上沉积有第三氧化层，在第三氧化层之上沉积有栅极。本实用新型的铁电存储器的单元结构有助于提高铁电场效应晶体管存储器的保持性能，以期实现铁电场效应晶体管存储器的实用化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
