[实用新型]功率金属氧化物半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 202120432684.8 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214411209U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，包括位于碳化硅衬底中的N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，所述轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区与轻掺杂P型阱层的接触面均为弧形面；重掺杂P型区左右两侧面分别与第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区各自弧形面的部分区域接触，所述重掺杂P型区与轻掺杂P型阱层的接触面为向下凸起的弧形面，轻掺杂P型阱层与N型外延层的接触面为向下凸起的弧形面。本实用新型晶体管使电场更均匀，提高了功率MOS器件的耐电压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
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