[实用新型]一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置有效

专利信息
申请号: 202120297014.X 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN215976139U 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 齐红基;赛青林 申请(专利权)人: 杭州富加镓业科技有限公司
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B15/34
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 刘芙蓉
地址: 311400 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供了一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构及生长装置。所述热场结构用于保温形成热场,所述热场结构由至少一层保温层层叠而成,所述保温层由若干块子保温层拼接而成,所述若干块为两块以上的自然数;所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔。本实用新型热场结构在高度上采用分层式堆叠,可以有效释放高温下的热应力,解决热场结构不受控开裂的问题。且所述保温层由若干块子保温层拼接而成,其采用拼接的方式,可以进一步释放高温下的热应力,有效避免热场结构不受控开裂。
搜索关键词: 一种 导模法 生长 氧化 晶体 结构 装置
【主权项】:
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