[实用新型]一种ALD加工设备有效
申请号: | 202120163329.5 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN214361682U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 万军;王辉;廖海涛;王斌 | 申请(专利权)人: | 无锡市邑晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 安磊 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室,反应腔室内置于真空腔室内,反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,进气通道和出气通道以反应腔室的底部的中心线相对设置,反应腔室的侧壁上设置有第一料口,真空腔室的侧壁上设置有第二料口,第一料口和第二料口位于反应器的同一侧,输送装置设置在反应器的外侧,输送装置包括输送机构、将第一料口密封的第一密封门以及将第二料口密封的第二密封门。本实用新型保证沉积膜的成型质量和一致性,成膜效率高,周期短,提高前驱体源的利用率,适合批量性生产,具有很好的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 ald 加工 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的